Классический форум-трекер
canvas not supported
Нас вместе: 4 232 466

Д.С. Дьюб | Электроника: Схемы и анализ [2008] [DJVU]


 
 
RSS
Начать новую тему   Ответить на тему    Торрент-трекер NNM-Club -> Научная и техническая литература -> Техническая литература
Автор Сообщение
dark_elf2 ®
Релизер эксклюзива
Стаж: 15 лет 10 мес.
Сообщений: 2245
Ratio: 22.98
Поблагодарили: 202429
100%
ussr.gif
Д.С. Дьюб | Электроника: Схемы и анализ [2008] [DJVU]
Автор: Д.С. Дьюб
Название: Электроника: Схемы и анализ
Год: 2008
Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-165-9
Серия: Мир электроники
Отрасль (жанр): Электроника
Формат: DJVU
Качество: Хороший скан

Описание:
Книга посвящена разработке и анализу электронных приборов и схем, которые составляют неотъемлемую часть университетского курса физики. Освещены физические аспекты работы биполярных и полевых транзисторов, все схемы проанализированы с первооснов. Глава о производстве интегральных схем выделяет эту книгу из ряда аналогичных изданий. Простота и основательность изложения, большое количество примеров, задач и иллюстраций делают ее незаменимым пособием для студентов технических вузов.

Примечание: здесь её нету так что раздача не повтор
Предисловие
Благодарности
Глава 1
Введение в полупроводники.
1.1. Энергетические зоны в твердых телах
1.2. Энергетические зоны и перенос заряда в полупроводниках
1.3. Проводимость полупроводников
1.4. Металлы, диэлектрики и полупроводники
1.5. Полупроводники с другой точки зрения
1.6. Легированные полупроводники
1.7. Расчет концентрации носителей в полупроводниках
1.8. Уровень Ферми в полупроводниках
1.9. Заключение
Примеры
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 2
p-n-перехо д
2.1. Диффузионный ток и ток дрейфа
2.2. Образование р-п-перехода
2.3. Концентрация заряда и электрическое поле в обедненной области
2.4. p-n-переход с энергетической точки зрения: выражение для потециала перехода VB
2.5. p-n-переход при приложении внешнего напряжения
2.6. Вольт-амперная характеристика р-п-диода
2.7. Емкость перехода
2.8. Пробой перехода
2.9. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 3
Биполярный транзистор
3.1. Сущность биполярного транзистора
3.2. Транзистор без приложения внешних полей (несмещенный транзистор)
3.3. Смещенный транзистор
3.4. Токи транзистора с прямосмещенным эмиттерным переходом и обратносмещенным коллекторным переходом.
3.5. Конфигурации схем с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК)
3.6. Коэффициенты передачи по току а и /3, их соотношение
3.7. Суммарный ток коллектора в схеме с общим эмиттером
3.8. Внутренние факторы эффективности транзистора
3.9. Статические вольт-амперные характеристики
3.10. Некоторые другие полезные параметры и явления
3.11. Эквивалентная схема транзистора по переменному току
3.12. Производство транзисторов.
3.13. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 4
Проектирование и анализ схем на постоянном токе
4.1. Нагрузочная линия и рабочая точка
4.2. Коэффициент стабильности.
4.3. Расчет схем смещения
4.4. Смещение p-n-p-транзисторов (особенно при использовании одновременно с n-p-n-транзисторами)
4.5. Схема с общей базой
4.6. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 5
Анализ усилителей малого сигнала на биполярных
транзисторах с помощью г-параметров
5.1. Основы усилителей малого сигнала
5.2. г-параметры
5.3. Анализ усилителя с общим эмиттером ОЭ
5.4. Эмиттерный повторитель
5.5. Усилитель малого сигнала с общей базой (ОБ)
5.6. Важные свойства усилителей с ОЭ, ОК и ОБ
5.7. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 6
Усилители малого сигнала и г-, у- и /г-параметры.
6.1. Z- и У-параметры
6.2. Задание условий холостого хода и короткого замыкания на входе и выходе транзисторной схемы
6.3. Л-параметры
6.4. Гибридная модель биполярного транзистора
6.5. Анализ малосигнального усилителя при помощи Л-параметров
6.6. Приблизительные соотношения для гибридной модели
6.7. Л-параметры усилителей с ОК и ОБ
6.8. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 7
Обратная связь в усилителях
7.1. Введение
7.2. Основное уравнение обратной связи
7.3. Стабильность коэффициента усиления
7.4. Снижение нелинейных искажений.
7.5. Расширение полосы пропускания
7.6. Разновидности схем обратной связи
7.7. Влияние отрицательной обратной связи на импедансы усилителя
7.8. Реализация схем с обратной связью
7.9. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 8
Производство интегральных схем
8.1. Введение
8.2. Полупроводниковые материалы
8.3. Очистка материала
8.4. Планарная технология формирования ИС
8.5. Иллюстрация процесса
8.6. Формирование диодов, резисторов и конденсаторов
8.7. Основные технологические процессы
8.8. Металлизация
8.9. Эпитаксиальный слой
8.10. Испытание и монтаж в корпус
8.11. Заключение
Дополнительная литература по теме.
Вопросы
Задачи
Глава 9
Полевые транзисторы
9.1. Полевые транзисторы с р-п-переходом
9.2. Полевые транзисторы структуры металл-окисел-полупроводник (МОП)
9.3. Симметрия МОП-транзисторов
9.4. Способы снижения порогового напряжения
9.5. Сравнение полевых и биполярных транзисторов
9.6. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 10
Схемы на полевых транзисторах.
10.1. Смещение полевых транзисторов
10.2. Малосигнальные параметры полевых транзисторов
10.3. Анализ малосигнальной модели полевого транзистора
10.4. Полевой транзистор как источник стабильного тока
10.5. МОП-транзистор в качестве резистора
10.6. МОП-конденсатор
10.7. Схемы на полевых транзисторах с МОП-нагрузками .
10.8. Схемы КМОП
10.9. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 11
Усилители мощности
11.1. Введение
11.2. Классификация усилителей мощности
11.3. Усилители класса А
11.4. Двухтактные усилители класса В
11.5. Усилители мощности на МОП-транзисторах
11.6. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы.
Задачи
Глава 12
Частотная характеристика, способы связи, многокаскадные усилители.
12.1. Частотная характеристика.
12.2. Децибелы
12.3. Разделительный конденсатор и частотная характеристика на нижних частотах.
12.4. Частотная характеристика усилителя на биполярном транзисторе на низких частотах
12.5. Теорема Миллера
12.6. Частотная характеристика усилителей на биполярных транзисторах на высоких частотах'
12.7. Частотная характеристика усилителей на полевых транзисторах
12.8. Многокаскадные усилители
12.9. Способы межкаскадной связи
12.10. Схема дарлингтона (составной транзистор)
12.11. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 13
Дифференциальные и операционные усилители
13.1. Дифференциальный усилитель
13.2. Дифференциальный усилитель с симметричным входом и симметричным выходом
13.3. Инвертирующий и неинвертирующий входы
13.4. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
13.5. Дифференциальный усилитель с симметричным входом и несимметричным выходом
13.6. Дифференциальный усилитель с несимметричным входом и симметричным выходом
13.7. Дифференциальный усилитель с несимметричным входом и несимметричным выходом
13.8. Дифференциальный усилитель с компенсирующими резисторами
13.9. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах
13.10. Схемы с источниками постоянного тока.
13.11. Операционный усилитель
13.12. Характеристики и параметры операционного усилителя
13.13. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Глава 14
Применение операционных усилителей
14.1. Компараторы
14.2. Усилители
14.3. Неинвертирующий усилитель с обратной связью
14.4. Инвертирующий усилитель с обратной связью
14.5. Дифференциальный усилитель
14.6. Суммирующие, масштабирующие и усредняющие усилители
14.7. Схема вычитания
14.8. Интеграторы и дифференциаторы
14.9. Активные фильтры
14.10. Заключение
Дополнительная литература по теме
Вопросы
Задачи
Физические константы
Скриншоты:


Время раздачи: 24/7 - круглосуточно
[NNM-Club.ru]_D'yub D. S. - YElektronika shemyi i analiz 2008.djvu.torrent
 Торрент: Платиновая раздача  Зарегистрирован
 
Скачать


Примагнититься
 Зарегистрирован:   10 Авг 2012 01:39:22
 Размер:   6.54 MB  (
 Рейтинг:   4.9 (Голосов: 43)
 Поблагодарили:   180
 Проверка:   Оформление проверено модератором 10 Авг 2012 17:12:07
Как cкачать  ·  Как раздать  ·  Правильно оформить  ·  Поднять ратио!  
Paralan
Стаж: 16 лет 9 мес.
Сообщений: 3276
Ratio: 1086.291
Поблагодарили: 361061
100%
ussr.gif
dark_elf2 маленькое уточнение, посмотрите по выходным данным на книгу. Как правильно, как дано в теме или на обложке?

_________________
«Интеллигенция — это слой, который предохраняет от хамства.»
Показать сообщения:   
Начать новую тему   Ответить на тему    Торрент-трекер NNM-Club -> Научная и техническая литература -> Техническая литература Часовой пояс: GMT + 3
Страница 1 из 1