Классический форум-трекер
canvas not supported
Нас вместе: 4 232 403

Л.П. Ануфриев, С.В. Бордусов | Технология изделий интегральной электроники (2009) [PDF]


 
 
RSS
Начать новую тему   Ответить на тему    Торрент-трекер NNM-Club -> Научная и техническая литература -> Учебники
Автор Сообщение
Telebalt ®
RG Книги
Меценат
Стаж: 12 лет 9 мес.
Сообщений: 8395
Ratio: 323.542
Поблагодарили: 1235771
100%
Откуда: Балтийск
russia.gif
Л.П. Ануфриев, С.В. Бордусов | Технология изделий интегральной электроники (2009) [PDF]
Автор: Л.П. Ануфриев, С.В. Бордусов
Издательство: Интегралполиграф
Жанр: Электроника
Формат: PDF
Качество: Изначально электронное (ebook)
Иллюстрации: Черно-белые

Описание:
Учебное пособие включает базовые технологические процессы и оборудование для производства изделий интегральной электроники. Предназначено для закрепления и углубления теоретических знаний, ознакомления с современными технологическими процессами и автоматизированным технологическим оборудованием для изготовления изделий интегральной электроники.
Основные материалы изделий интегральной электроники.
Фазовые диаграммы и твердые растворы.
Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в.
изделиях интегральной электроники.
Твердая растворимость.
Диаграммы состояния тройных систем.
Основные понятия и определения.
Основные типы структур интегральных микросхем.
Процесс изготовления биполярных ИМС.
Процесс изготовления КМОП ИМС.
Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки.
Технологический маршрут изготовления мощных MOSFET-транзисторов.
Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров.
Основные характеристики полупроводниковых подложек.
Физико-химические особенности подготовки гладких поверхностей подложек.
Разновидности загрязнений и их влияние на технологические характеристики.
полупроводниковых подложек, источники и механизмы загрязнения поверхности.
подложек.
Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел.
Чистые производственные помещения.
Контроль дефектности технологического процесса.
Классификация типов обработки поверхности.
Кинетика процесса химического травления.
Механизмы травления полупроводников.
Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых.
соединений.
Особенности жидкостного травления функциональных слоёв.
Электрохимическая обработка поверхности.
Парогазовое травление.
Классификация процессов ионно-плазменного травления.
Механизмы процессов ионно-плазменного травления.
Методы плазменного травления.
Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного.
травления.
Эпитаксиальные процессы.
Кинетика и механизмы процессов эпитаксии.
Автоэпитаксия кремния.
Гетероэпитаксия кремния.
Эпитаксия соединений типа A3B5 и твердых растворов на их основе.
Дефекты эпитаксиальных слоев.
Стабилизация и защита поверхности ИМС и полупроводниковых приборов.
Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев.
Формирование тонких слоев методами химического осаждения из газовой фазы.
Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из.
газовой фазы.
Атомно-слоевое осаждение (ALD).
Пленки, получаемые центрифугованием из растворов из кремнийорганических.
соединений (НЦР – пленки).
Термическое испарение материалов в вакууме.
Краткая характеристика испарителей.
Индукционные испарители.
Электронно-лучевое испарение.
Метод ионного распыления.
Катодное распыление.
Магнетронное распыление.
Лазерно-плазменное распыление.
Вакуумное оборудование для формирования пленок.
Установки лазерного распыления.
Процессы в фоторезистах.
Фотошаблоны.
Методы литографии.
Методы повышения качества формирования изображения.
Метод самосовмещения.
Основы диффузионной технологии.
Легирующие примеси и источники диффузии.
Технология проведения процессов диффузии.
Контроль параметров диффузионных слоев.
Ионная имплантация.
Геттерирование.
Эффекты, используемые в технологии СБИС.
Дефекты ионного легирования и способы их устранения.
Отжиг легированных структур.
Диффузия.
Одномерное уравнение Фика.
Постоянные коэффициенты диффузии.
Механизмы диффузии в твердом теле.
Диффузия из бесконечного источника.
Диффузия из ограниченного источника.
Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии.
Атомные механизмы диффузии.
Факторы, влияющие на процессы диффузии.
Способы контроля процессов диффузии.
Типы интегральных микросхем.
Корпуса ИМС и их конструкции.
Требования к конструкции корпусов.
Металлокерамические корпуса.
Металлостеклянные корпуса.
Пластмассовые корпуса.
Корпуса чашечного типа.
Разделение пластин на кристаллы.
Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями и клеями.
Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями.
Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой.
Контроль качества сборочных операций.
Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники.
Процессы термокомпрессионной микросварки.
Ультразвуковая и термозвуковая микросварка.
Автоматическое оборудование и инструмент.
Монтаж жесткими объемными выводами.
Монтаж кристаллов на плате.
Герметизация корпусов сваркой.
Герметизация корпусов пайкой.
Герметизация пластмассами.
Бескорпусная герметизация.
Контроль герметичности.
Основные причины снижения влагоустойчивости приборов.
Качество и надежность приборов электронной техники.
Конструктивно–технологические особенности ИС, влияющие на их надежность.
Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем.
Система контроля технологического процесса.
Скриншоты:


Время раздачи: Пн.-Пт. с 19.00 до 7.00, Сб.-Вс. 2/24 (минимум до появления первых 3-5 скачавших)
[NNMClub.to]_Anufriev L.P., Bordusov S.V. Tehnologiya izdeliy integral'noy yelektroniki 2009.pdf.torrent
 Торрент: Платиновая раздача  Зарегистрирован
 
Скачать


Примагнититься
 Зарегистрирован:   07 Фев 2024 18:40:16
 Размер:   7.78 MB  (
 Рейтинг:   4.8 (Голосов: 19)
 Поблагодарили:   119
 Проверка:   Оформление проверено модератором 07 Фев 2024 18:41:44
Как cкачать  ·  Как раздать  ·  Правильно оформить  ·  Поднять ратио!  
Показать сообщения:   
Начать новую тему   Ответить на тему    Торрент-трекер NNM-Club -> Научная и техническая литература -> Учебники Часовой пояс: GMT + 3
Страница 1 из 1