Г.Г.Шишкин, А.Г.Шишкин | Электроника (2005) [DOC]

Предисловие.
Введение.
Раздел первый. Полупроводниковые приборы.

Глава1.Физика полупроводников.
1.1 Равновесная концентрация свободных носителей в полупроводниках.
1.2 Неравновесные носители.
1.3 Электропроводность полупроводников.
1.4 Законы движения носителей в полупроводниках.

Глава 2 Контактные явления в полупроводниках. Электрические переходы.
2.1 Основные определения. Классификация электрических переходов.
2.2 Физические процессы в электронно-дырочных переходах.
2.3 Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.
2.4 Электрическая модель p-n-перехода.
2.5 Переходные процессы в p-n-переходе.
2.6 Переходы металл-полупроводник.
2.7 Гетеропереходы.

Глава 3 Полупроводниковые диоды.
3.1 Общие сведения и классификация диодов.
3.2 Выпрямительные диоды.
3.3 Импульсные диоды.
3.4 Стабилитроны.
3.5 Варикапы.
3.6 Туннельные диоды.
3.7 Лавинно-пролетные диоды.
3.8 Диоды Ганна.

Глава 4 Биполярные транзисторы.
4.1 Общие вопросы. Устройство, режимы работы транзисторов.
4.2 Физические процессы в нормальном активном режиме. Коэффициенты передачи тока.
4.3 Модель Эберса – Мола. Статические характеристики биполярных транзисторов.
4.4 Биполярный транзистор как линейный 4-х полюсник. Параметры транзистора.
4.5 Эквивалентные схемы.
4.6 Переходные и частотные характеристики биполярного транзистора.
4.7 Импульсный режим работы. Транзисторный ключ.
4.8 Разновидности биполярных транзисторов.

Глава 5 Тиристоры.
5.1Общие сведения. Устройство. Режимы работы.
5.2Основные физические процессы. Принцип действия.
5.3Переходные процессы и импульсные свойства тиристоров.
5.4 Разновидности тиристоров. Параметры и модели тиристоров.

Глава 6 Полевые транзисторы.
6.1 Общие сведения. Классификация.
6.2Формирование канала в МДП транзисторах.
6.3 Общие принципы управления проводимостью канала в полевых транзисторах. Статические вольт-амперные характеристики.
6.4 Моделирование транзисторов.
6.5 Полевой транзистор как линейный четырехполюсник. Параметры транзисторов. Эквивалентные схемы
6.7 Высокочастотные и импульсные свойства полевых транзисторов.
6.8 Разновидности полевых транзисторов. Силовые комбинированные транзисторы.

Раздел второй. Интегральные схемы.
Глава 7 Активные и пассивные элементы интегральных схем.
7.1 Общие сведения. Термины, определения и классификация интегральных схем.
7.2 Электрическая изоляция элементов полупроводниковых ИС.
7.3 Особенности биполярных транзисторов ИС.
7.4 Разновидности биполярных транзисторов интегральных схем.
7.5 Интегральные диоды .
7.6 Особенности интегральных полевых транзисторов.
7.7 Пассивные элементы полупроводниковых ИС.

Глава 8 Аналоговые интегральные схемы.
8.1Общие сведения. Термины и определения.
8.2 Источники стабильного тока, напряжения и опорного напряжения..
8.3 Дифференциальные усилители.
8.4 Операционные усилители.

Глава 9 Цифровые интегральные схемы.
9.1 Особенности цифровых ИС.
9.2 Элементарные (базовые) цифровые схемы на биполярных транзисторах.
9.3 Простейшие инверторные (ключевые) схемы на МДП-транзисторах. 9.4 Бистабильные схемы и триггеры.
9.5 Логические элементы на биполярных транзисторах.
9.6 Логические элементы на полевых транзисторах.
9.7 Элементы полупроводниковых запоминающих устройств.
Глава 10. Наноэлектроника и функциональная электроника .
10.1 Общие положения. Возможности наноэлектроники и функциональной электроники.
10.2 Особенности наноэлектронных приборов
10.3 Приборы с зарядовой связью.
10.4 Элементы акустоэлектроники.
10.5 Элементы СБИС на цилиндрических магнитных доменах.

Раздел третий. Электровакуумные приборы. Электровакуумные приборы СВЧ с динамическим управлением.

Глава 11 Электровакуумные приборы с электростатическим управлением.
11.1 Общие сведения.
11.2 Основы эмиссионной электроники.
11.3 Электронно-управляемые лампы.
11.4 Мощные генераторные и модуляторные лампы.
11.5 Эквивалентные схемы электронных ламп.
11.6 Вакуумные интегральные схемы.

Глава 12 Электронно-лучевые приборы.
12.1 Классификация, устройство и принцип действия ЭЛП.
12.2 Электронный прожектор с электростатической фокусировкой
12.3 Электронный прожектор с магнитной фокусировкой.
12.4 Отклоняющие системы.
12.5 Экраны электронно-лучевых трубок.
12.6 Особенности электронно-лучевых приборов различного назначения.

Глава 13 Электровакуумные приборы СВЧ с динамическим управлением и продольным взаимодействием -приборы типа О
13.1 Общие сведения.
13.2 Пролетные клистроны. Отражательные клистроны.
13.3 Лампы бегущей волны. Устройство ЛБВО. Замедляющие системы.
13.4 Физические процессы в ЛБВО. Параметры и характеристики.
13.5 Лампы обратной волны типа О.

Глава14 СВЧ приборы с динамическим управлением и скрещенными полями -приборы типа М.
14.1 Общие сведения.
14.2Магнетроны. Движение электронов в скрещенных полях.
14.3 Колебательная система магнетрона.
14.4 Характеристики и параметры магнетронов.
14.5 Приборы магнетронного типа.

Раздел четвертый. Приборы отображения информации. Оптоэлектронные приборы.

Глава 15. Газоразрядные приборы и индикаторы.
15.1 Общие сведения.
15.2 Элементарные процессы в плазме газовых разрядов.
15.3 Приборы тлеющего разряда. Плазменные панели
15.4 Приборы дугового разряда.
15.5 Электровакуумные и электролюминесцентные индикаторы.
15.6 Пассивные индикаторы. Жидкокристаллические индикаторы.
15.7 Сравнение индикаторов различного типа.

Глава 16. Оптоэлектронные приборы.
16.1 Общие сведения.
16.2 Оптические явления в полупроводниках и металлах.
16.3 Светодиоды.
16.4 Полупроводниковые фотоприемники.
16.5 Оптопары.
16.6 Солнечные преобразователи.
16.7 Вакуумные фотоприемники.

Раздел пятый. Приборы когерентной квантовой электроники.

Глава 17 Основы квантового усиления. Условия генерации и параметры излучения квантовых генераторов.
17.1 Индуцированные и спонтанные переходы.
17.2 Усиление в квантовых системах.
17.3 Основные элементы устройства квантовых генераторов.
Активная среда. Оптические резонаторы.
17.4 Условие баланса мощности и фаз в оптических квантовых генераторах.
17.5 Спектр и характеристики излучения квантовых генераторов.

Глава 18 Квантовые приборы СВЧ диапазона – мазеры.
18.1Активное вещество твердотельных мазеров. Парамагнитные уровни энергии.
18.2 Парамагнитные квантовые усилители. Разновидности парамагнитных квантовых усилителей.
18.3 Охлаждение мазеров и их параметры.
18.4 Квантовые генераторы СВЧ диапазона.

Глава 19 Газовые лазеры.
19.1 Общие сведения.
19.2 Процессы создания инверсной населенности в газовых лазерах.
19.3 Атомарные газовые лазеры.
19.4 Молекулярные газовые лазеры.
19.5 Разновидности газовых лазеров.

Глава 20 Твердотельные и жидкостные лазеры.
20.1Особенности активных сред.
20.2 Системы накачки.
20.3 Рубиновый лазер.
20.4 Лазеры на средах, активированных ниодимом.
20.5 Жидкостные лазеры.
20.6 Режимы работы и основные характеристики твердотельных лазеров.

Глава 21 Полупроводниковые инжекционные лазеры.
21.1 Полупроводниковые материалы, используемые для приборов излучения.
21.2 Инжекционные полупроводниковые лазеры на основе гомопереходов.
21.3 Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов.
21.4 Разновидности полупроводниковых лазеров.

Раздел шестой. Вопросы применения и эксплуатации электронных приборов.
Глава 22 Шумы электронных приборов.
22.1 Общие сведения.
22.2 Источники шумов.
22.3 Методы описания шумов.
22.4 Шумы электронных приборов различного типа.

Глава 23 Эксплуатационные условия, режимы и надежность электронных приборов.
23.1 Эксплуатационные условия работы, параметры и режимы электронных приборов.
23.2 Радиационная стойкость.
23.3 Надежность электронных приборов.

Приложения.
Список используемых источников