В настоящее время ученые и исследователи пытаются все более увеличить функциональность и плотность электронных микросхем. Одной из возможных функциональных расширений современной микроэлектроники является ячейка резистивной памяти, так называемый, «мемристор». Существование такого элемента впервые было предсказано в 1971 году, опытные образцы были изготовлены в 2008 году.
Мемристор – это пассивный двухполюсный элемент, который может менять свое сопротивление под воздействием суммарного электрического тока, протекающего через него. Его вольт-амперная характеристика может динамически меняться с помощью воздействия импульсов электрического тока. После пропадания электрического тока мемристоры сохраняют свои свойства, т.е., по сути, представляют собой энергонезависимую память.
