На проходившей недавно в Сан-Франциско конференции IEDM представители компаний IBM и Samsung объявили об успешной разработке нового типа
транзисторов, которые будут располагаться на поверхности чипа в вертикальном положении. Отметим, что на чипах всех современных процессоров и систем-на-чипе транзисторы располагаются на поверхности в горизонтальной плоскости и в этой же плоскости также протекают электрические токи, от одного участка транзистора к другому. В отличие от этого, компоненты транзисторов VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг к другу, а электрический ток через транзистор течет в вертикальном направлении.
Читать полностью на DailyTechInfo.Org » Компании IBM и Samsung создали новые транзисторы, которые станут ключом к технологиям производства субнанометровых чипов 
